-
RFTXX-30CR6363C Chipwiderstand RF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR6363C Leeschtung 30W Resistenz XX Ω (10~3000Ω personaliséierbar) Resistenz Toleranz ±5% Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt de Power De-rating) Virgeschloe Montageprozeduren Power De-rating Reflow Profil P/N Bezeechnung Benotzungsobservatioun ■ Nodeems d'Lagerzäit vun nei kaaften Deeler méi wéi 6 Méint war, soll op d'Schweessbarkeet opgepasst ginn, ier se benotzt ginn. Et ass recommandéiert ... -
RFTXX-30CR2550W Chipwiderstand RF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR2550W Leeschtung 30 W Resistenz XX Ω (10~3000Ω personaliséierbar) Resistenz Toleranz ±5% Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt de Power De-rating) Virgeschloe Montageprozeduren Power De-rating Reflow Profil P/N Bezeechnung Benotzungsobservatioun ■ Nodeems d'Lagerzäit vun nei kaaften Deeler méi wéi 6 Méint war, soll op d'Schweessbarkeet opgepasst ginn, ier se benotzt ginn. Et ass recommandéiert... -
RFTXX-30CR2550TA Chipwiderstand RF-Widerstand
Modell RFTXX-30CR2550TA Leeschtung 30W Resistenz XX Ω (10~3000Ω personaliséierbar) Resistenz Toleranz ±5% Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt de Power De-rating) Virgeschloe Montageprozeduren Power De-rating Reflow Profil P/N Bezeechnung Benotzungsobservatioun ■ Nodeems d'Lagerzäit vun nei kaaften Deeler méi wéi 6 Méint war, soll op d'Schweessbarkeet opgepasst ginn, ier se benotzt ginn. Et ass recommandéiert... -
RFTXX-30RM2006 Flanschwiderstand RF-Widerstand
Modell RFTXX-30RM2006 Leeschtung 30 W Widderstand XX Ω (10~2000Ω personaliséierbar) Widderstandstoleranz ±5% Kapazitéit 2.6 PF@100Ω Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Deckel AL2O3 Montageflansch Messing Bläi 99.99% rengt Sëlwer Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-Rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm) D'Längt vum Bläidrot kann den Ufuerderunge vum Client entsprécht Gréisst Toleranz：5% ausser et ass anescht uginn Virschlag... -
RFTXX-30RM1306 HF-Widerstand
Modell RFTXX-30RM1306 Leeschtung 30 W Widderstand XX Ω (10~2000Ω personaliséierbar) Widderstandstoleranz ±5% Kapazitéit 2.6 PF@100Ω Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Deckel AL2O3 Montageflansch Messing Bläi 99.99% rengt Sëlwer Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-Rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm) D'Längt vum Bläidrot kann den Ufuerderunge vum Client entsprécht Gréisst Toleranz：5% ausser et ass anescht uginn Virschlag... -
Duebelverbindungsisolator
En Duebelverbindungs-Isolator ass en passivt Apparat, deen dacks a Mikrowellen- a Millimeterwellenfrequenzbänner benotzt gëtt, fir Récksignaler vum Antenneenden ze isoléieren. E besteet aus der Struktur vun zwéi Isolatoren. Säin Insertion Loss an d'Isolatioun sinn typescherweis duebel sou héich wéi bei engem eenzegen Isolator. Wann d'Isolatioun vun engem eenzegen Isolator 20dB ass, kann d'Isolatioun vun engem Duebelverbindungs-Isolator dacks 40dB sinn. De VSWR vum Port ännert sech net vill. Am System, wann de Radiofrequenzsignal vum Inputport op déi éischt Ringverbindung iwwerdroe gëtt, well een Enn vun der éischter Ringverbindung mat engem Radiofrequenzwidderstand ausgestatt ass, kann säi Signal nëmmen op den Input-Enn vun der zweeter Ringverbindung iwwerdroe ginn. Déi zweet Schleifverbindung ass déiselwecht wéi déi éischt, mat installéierten RF-Widderstänn gëtt de Signal un den Outputport weidergeleet, a seng Isolatioun ass d'Zomm vun der Isolatioun vun den zwou Schleifverbindungen. De Récksignal, deen vum Outputport zréckkënnt, gëtt vum RF-Widderstand an der zweeter Ringverbindung absorbéiert. Op dës Manéier gëtt eng grouss Isolatioun tëscht den Input- an Output-Ports erreecht, wat Reflexiounen an Interferenzen am System effektiv reduzéiert.
Frequenzberäich vun 10 MHz bis 40 GHz, bis zu 500 W Leeschtung.
Militär-, Weltraum- a kommerziell Uwendungen.
Niddreg Insertion Loss, héich Isolatioun, héich Leeschtungsveraarbechtung.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
SMT / SMD Isolator
En SMD-Isolator ass en Isolatiounsapparat, deen fir d'Verpakung an d'Installatioun op enger PCB (gedréckter Leiterplack) benotzt gëtt. Si gi wäit verbreet a Kommunikatiounssystemer, Mikrowellenausrüstung, Radioausrüstung an anere Beräicher benotzt. SMD-Isolatoren si kleng, liicht an einfach ze installéieren, wat se fir Uwendungen mat héijer Dicht an integréierter Schaltung gëeegent mécht. Am Folgenden gëtt eng detailléiert Aféierung an d'Charakteristiken an d'Uwendungen vun SMD-Isolatoren. Éischtens hunn SMD-Isolatoren e breede Spektrum u Frequenzbandofdeckungsméiglechkeeten. Si decken typescherweis e breede Frequenzberäich of, wéi 400MHz-18GHz, fir d'Frequenzufuerderunge vun ënnerschiddlechen Uwendungen ze erfëllen. Dës extensiv Frequenzbandofdeckungsfäegkeet erméiglecht et SMD-Isolatoren, exzellent a verschiddene Uwendungsszenarien ze funktionéieren.
Frequenzberäich vun 200 MHz bis 15 GHz.
Militär-, Weltraum- a kommerziell Uwendungen.
Niddreg Insertion Loss, héich Isolatioun, héich Leeschtungsveraarbechtung.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
RFTXX-20RM0904 HF-Widerstand
Modell RFTXX-20RM0904 Leeschtung 20 W Widderstand XX Ω (10~3000Ω personaliséierbar) Widderstandstoleranz ±5% Kapazitéit 1.2 PF@100Ω Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Deckel AL2O3 Montageflansch Messing Bläi 99.99% rengt Sëlwer Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-Rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm) D'Längt vum Bläidrot kann den Ufuerderunge vum Client entsprécht Gréisst Toleranz：5% ausser et ass anescht uginn Virschlag... -
Mikrostrip-Isolator
Mikrostrip-Isolatoren sinn en allgemeng benotzten HF- a Mikrowellengerät, deen fir d'Signaliwwerdroung an d'Isolatioun a Schaltkreesser benotzt gëtt. Si benotzen Dënnschichttechnologie fir e Circuit op engem rotéierende magnéitesche Ferrit ze kreéieren, an dann e Magnéitfeld bäizefügen fir dëst z'erreechen. D'Installatioun vu Mikrostrip-Isolatoren benotzt normalerweis d'Method vum manuelle Läten vu Kupfersträifen oder Golddrotverbindung. D'Struktur vu Mikrostrip-Isolatoren ass ganz einfach am Verglach mat koaxialen an agebettene Isolatoren. Den offensichtlechsten Ënnerscheed ass, datt et keng Kavitéit gëtt, an de Leeder vum Mikrostrip-Isolator mat engem Dënnschichtprozess (Vakuumsputtering) gemaach gëtt fir dat entworf Muster um rotéierende Ferrit ze kreéieren. Nom Galvaniséieren gëtt de produzéierte Leeder um rotéierende Ferritsubstrat befestegt. Eng Schicht Isolatiounsmedium gëtt uewen op de Graf befestegt, an e Magnéitfeld um Medium fixéiert. Mat sou enger einfacher Struktur gouf e Mikrostrip-Isolator fabrizéiert.
Frequenzberäich 2,7 bis 43 GHz
Militär-, Weltraum- a kommerziell Uwendungen.
Niddreg Insertion Loss, héich Isolatioun, héich Leeschtungsveraarbechtung.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Low Intermodulation Terminatioun
Modell CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Frequenzberäich DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Leeschtung 50W Impedanz 50 Ω Steckertyp DIN-M (J) Waasserdicht Grad IP65 Dimensiounen 60×60×80mm Betribstemperatur -55 ~ +125°C (Kuckt d'Power De-rating) Faarf Schwaarz Gewiicht Ongeféier 410 g Opgepasst Power De-rating Artikelnummer Bezeechnung -
RFTXX-20RM1304 HF-Widerstand
Modell RFTXX-20RM1304 Leeschtung 20 W Widderstand XX Ω (10~3000Ω personaliséierbar) Widderstandstoleranz ±5% Kapazitéit 1.2 PF@100Ω Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Deckel AL2O3 Montageflansch Messing Bläi 99.99% rengt Sëlwer Widderstandsfäegt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-Rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm) D'Längt vum Bläidrot kann den Ufuerderunge vum Client entspriechen Gréisst Toleranz：5% ausser et ass anescht uginn Virschlag... -
