-
Flanschbeschluss
Flanschterminéierunge ginn um Enn vun engem Circuit installéiert, déi Signaler absorbéieren, déi am Circuit iwwerdroe ginn, a Signalreflexioun verhënneren, wouduerch d'Transmissiounsqualitéit vum Circuitsystem beaflosst gëtt. De Flanschterminéierung gëtt zesummegesat andeems en eenzege Klemmewidderstand mat Flanschen a Patchen geschweesst gëtt. D'Flanschgréisst gëtt normalerweis op Basis vun der Kombinatioun vun Installatiounslächer an den Dimensioune vum Klemmewidderstand entworf. D'Personaliséierung kann och no den Ufuerderunge vum Client gemaach ginn.
-
RFTXXN-100AJ8957-3 Mat Bläi Dämpfer DC~3.0GHz RF Dämpfer
Modell RFTXXN-100AJ8957-3 (XX = Dämpfungswert) Impedanz 50 Ω Frequenzberäich DC~3,0 GHz VSWR 1,20 max Nennleistung 100 W Dämpfungswert 13,20,30 dB Dämpfungstoleranz ±1,0 dB Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substratmaterial AlN Porzellan Huttmaterial Mëttel Bläi 99,99% Sterling Sëlwer Resistenztechnologie Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm/Zoll) D'Längt vun der Bläi kann deementspriechend personaliséiert ginn... -
Mikrostrip-Attenuator
E Mikrostrip-Attenuator ass en Apparat, deen eng Roll bei der Signaldämpfung am Mikrowellenfrequenzband spillt. D'Ëmwandlung an e fixe Attenuator gëtt wäit verbreet a Beräicher wéi Mikrowellenkommunikatioun, Radarsystemer, Satellittekommunikatioun, etc. benotzt, andeems et eng kontrolléierbar Signaldämpfungsfunktioun fir Schaltkreesser ubitt. Mikrostrip-Attenuator-Chips, am Géigesaz zu den übleche Patch-Attenuator-Chips, mussen an enger Loftkapp vun enger spezifescher Gréisst mat enger koaxialer Verbindung zesummegesat ginn, fir eng Signaldämpfung vum Input bis zum Output z'erreechen.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
RFT20N-60AM6363-6 Matleitungsdämpfer DC~6.0GHz RF-Dämpfer
Modell RFT20N-60AM6363-6 (XX = Dämpfungswert) Impedanz 50 Ω Frequenzberäich DC~6,0 GHz VSWR 1,25 max Nennleistung 60 W Dämpfungswert 20 dB Dämpfungstoleranz ±0,8 dB Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substratmaterial AlN Porzellan Huttmaterial Al2O3 Bläi 99,99% Sterling Sëlwer Resistenztechnologie Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm/Zoll) D'Längt vun der Leedung kann no Clienten personaliséiert ginn... -
RFTXX-60AM6363B-3 Matleitungsdämpfer DC~3.0GHz RF-Dämpfer
Modell RFTXX-60AM6363B-3 (XX=Dämpfungswert) Impedanz 50 Ω Frequenzberäich DC~3.0GHz VSWR 1.25 max Nennleistung 60 W Dämpfungswert 01-10dB/16dB/20dB Dämpfungstoleranz ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substratmaterial BeO Porzellan Huttmaterial Al2O3 Bläi 99.99% Sterling Sëlwer Resistenztechnologie Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Iwwersiichtszeechnung (Eenheet: mm/Zoll) D'Längt vun der Leedung kann geschnidden ginn... -
RFTXXA-05AM0404-3 Matleiter Dämpfer DC~3.0GHz RF-Dämpfer
Modell RFTXXA-05AM0404-3 (XX = Dämpfungswert) Impedanz 50 Ω Frequenzberäich DC~3,0 GHz VSWR 1,20 max Nennleistung 5 W Dämpfungswert (dB) 01-10/15, 17, 20/25,30 Dämpfungstoleranz (dB) ±0,6/±0,8/±1,0 Temperaturkoeffizient <150 ppm/℃ Substratmaterial Al2O3 Porzellan Huttmaterial Al2O3 Bläi 99,99% Sterling Sëlwer Resistenztechnologie Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Zeechnung (Eenheet: mm/Zoll) Kabellängt ... -
Mikrostrip-Zirkulator
E Mikrostrip-Zirkulator ass en allgemeng benotzten HF-Mikrowellengerät, deen fir d'Signaliwwerdroung an d'Isolatioun a Schaltkreesser benotzt gëtt. Et benotzt Dënnfilmtechnologie fir e Circuit op engem rotéierende magnéitesche Ferrit ze kreéieren, an dann e Magnéitfeld bäigefüügt fir dëst z'erreechen. D'Installatioun vu Mikrostrip-Ringformen benotzt normalerweis d'Method vum manuelle Läten oder Golddrotverbindung mat Kupfersträifen. D'Struktur vu Mikrostrip-Zirkulatoren ass ganz einfach am Verglach mat koaxialen an agebettete Zirkulatoren. Den offensichtlechsten Ënnerscheed ass, datt et keng Kavitéit gëtt, an de Leeder vum Mikrostrip-Zirkulator mat engem Dënnfilmprozess (Vakuumsputtering) gemaach gëtt fir dat entworf Muster um rotéierende Ferrit ze kreéieren. Nom Galvaniséieren gëtt de produzéierte Leeder um rotéierende Ferritsubstrat befestegt. Eng Schicht Isolatiounsmedium gëtt uewen op de Graf befestegt, an e Magnéitfeld um Medium fixéiert. Mat sou enger einfacher Struktur gouf e Mikrostrip-Zirkulator fabrizéiert.
Frequenzberäich vun 2,7 bis 40 GHz.
Militär-, Weltraum- a kommerziell Uwendungen.
Niddreg Insertion Loss, héich Isolatioun, héich Leeschtungsveraarbechtung.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
Breitbandzirkulator
E Breitbandzirkulator ass eng wichteg Komponent an HF-Kommunikatiounssystemer a bitt eng Rei vu Virdeeler, déi en ganz gëeegent fir verschidden Uwendungen maachen. Dës Zirkulatore bidden eng Breitbandofdeckung a garantéieren eng effektiv Leeschtung iwwer e breede Frequenzberäich. Mat hirer Fäegkeet, Signaler ze isoléieren, kënne si Interferenzen vun Out-of-Band-Signaler verhënneren an d'Integritéit vun In-Band-Signaler erhalen. Ee vun den Haaptvirdeeler vu Breitbandzirkulatore ass hir exzellent héich Isolatiounsleistung. Gläichzäiteg hunn dës réngfërmeg Apparater gutt Port-Standwelle-Charakteristiken, déi reflektéiert Signaler reduzéieren an eng stabil Signaliwwerdroung erhalen.
Frequenzberäich 56MHz bis 40GHz, BW bis 13,5GHz.
Militär-, Weltraum- a kommerziell Uwendungen.
Niddreg Insertion Loss, héich Isolatioun, héich Leeschtungsveraarbechtung.
Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.
-
RFTXX-60CA6363B-3 Chip-Attenuator DC~3.0GHz RF-Attenuator
Modell RFTXX-60CA6363B-3 (XX= Dämpfungswert) Resistenzberäich 50 Ω Frequenzberäich DC~3.0GHz VSWR 1.25 Max Leeschtung 60 W Dämpfungswert (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB Dämpfungstoleranz (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substratmaterial BeO Resistenztechnologie Déckschicht Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Installatiounsmethod Power De-rating Reflow-Lötzäit & Temperaturdiagramm P/N Bezeechnung ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 Chip-Attenuator DC~3.0GHz RF-Attenuator
Modell RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= Dämpfungswert) Resistenzberäich 50 Ω Frequenzberäich DC~3.0GHz VSWR 1.25 max Leeschtung 20 W Dämpfungswert (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB Dämpfungstoleranz (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substratmaterial AlN Resistenztechnologie Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Typesch Leeschtung: 2dB Grafik 20dB Grafik 6dB Grafik 30dB Grafik Installatiounsmethod... -
RFTXXN-10CA5025C-6 Chip-Attenuator DC~6.0GHz RF-Attenuator
Modell RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= Dämpfungswert) Resistenzberäich 50 Ω Frequenzberäich DC~6.0GHz VSWR 1.25 max Leeschtung 10 W Dämpfungswert (dB) 01-10dB/11-20dB Dämpfungstoleranz (dB) ±0.6dB/±0.8dB Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substratmaterial AlN Resistenztechnologie Déckschicht Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Typesch Leeschtung: 6dB Grafik 20dB Grafik Installatiounsmethod Power De-rating Reflow-Lötzäit & ... -
RFTXX-250RM1313K Mat Bläifähnlecht Widderstand RF-Widderstand
Modell RFTXX-250RM1313K Leeschtung 250 W Resistenz XX Ω~ (10-1000Ω personaliséierbar) Resistenz Toleranz ±5% Kapazitéit 2.0 PF@100Ω Temperaturkoeffizient <150ppm/℃ Substrat BeO Deckel AL2O3 Bläi Koffer Sëlwer Beschichtung Resistivt Element Déckfilm Betribstemperatur -55 bis +150°C (Kuckt d'Power De-rating) Virgeschloe Montageprozeduren Power De-rating Reflow Profil P/N Bezeechnung Benotzungsvirsiicht ■ Nodeems d'Lagerzäit vun nei kaafte Komponenten méi wéi 6 Méint ass...
