Produkter

Produkter

Flanschbeschluss

Flanschterminéierunge ginn um Enn vun engem Circuit installéiert, déi Signaler absorbéieren, déi am Circuit iwwerdroe ginn, a Signalreflexioun verhënneren, wouduerch d'Transmissiounsqualitéit vum Circuitsystem beaflosst gëtt. De Flanschterminéierung gëtt zesummegesat andeems en eenzege Klemmewidderstand mat Flanschen a Patchen geschweesst gëtt. D'Flanschgréisst gëtt normalerweis op Basis vun der Kombinatioun vun Installatiounslächer an den Dimensioune vum Klemmewidderstand entworf. D'Personaliséierung kann och no den Ufuerderunge vum Client gemaach ginn.


  • Bewäert Leeschtung:5-1500W
  • Substratmaterialien:BeO, AlN, Al2O3
  • Nennwäert vum Widderstand:50Ω
  • Resistenztoleranz:±5%, ±2%, ±1%
  • Temperaturkoeffizient:<150ppm/℃
  • Betribstemperatur:-55~+150℃
  • Flanschbeschichtung:optional Néckel- oder Sëlwerbeschichtung
  • ROHS-Norm:Konform mat
  • Leadlängt:L wéi am Datenblat spezifizéiert
  • Benotzerdefinéiert Design op Ufro verfügbar.:
  • Produktdetailer

    Produkt Tags

    Flanschbeschluss

    Flanschbeschluss
    Haapt technesch Spezifikatioune:

    Nennleistung: 5-1500W;
    Substratmaterialien: BeO, AlN, Al2O3
    Nennwidderstandswäert: 50Ω
    Resistenztoleranz: ±5%, ±2%, ±1%
    Temperaturkoeffizient: <150 ppm / ℃
    Betribstemperatur: -55 ~ + 150 ℃
    Flanschbeschichtung: optional Néckel- oder Sëlwerplatéierung
    ROHS Standard: Konform mat
    Uwendbar Norm: Q/RFTYTR001-2022
    Kabellängt: L wéi am Datenblat uginn
    (kann no de Bedierfnesser vum Client personaliséiert ginn)

    zxczxc1
    Kraaft
    (W)
    Frequenz
    Reechwäit
    Dimensioun (Eenheet: mm) SubstratMaterial Konfiguratioun Datenblat
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1.5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  FIG1   RFT50A-10TM1304
    AlN FIG1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  FIG1   RFT50A-10TM1104
    AlN FIG1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 FIG2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN FIG2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1.5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750I
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1.5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-20TM7750((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN FIG1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN FIG2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO FIG1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2,5 1.5 2,5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO FIG2   RFT50-10TM7750I
    30W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-30TJ1606
    BeO FIG1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-30TJ2006
    BeO FIG1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO FIG2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO FIG1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO FIG1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO FIG2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Kraaft
    (W)
    Frequenz
    Reechwäit
    Dimensiounen (Eenheet: mm) Substrat
    Material
    Konfiguratioun Datenblat (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2,5 1.0 6.0 / 2.1 BeO FIG2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6,35 10.0 6,35 1.5 2,5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6,35 12.0 6,35 1.5 2,5 3.5 1.0 5.0 / 2,5 BeO FIG1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2,5 1.0 5.0 / 2.1 AlN FIG1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2,5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN FIG1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9,5 14.0 6,35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN FIG1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-150TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24,8 9,5 18.4 9,5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO FIG1   RFT50-200TM2595
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-150TJ2510
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-200TM3213B
    250W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG3   RFT50-250TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-250TM2710
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-300TM2310
    24,8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO FIG1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2,5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO FIG1   RFT50-300TM2710
    10GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO FIG1   RFT50-500TM3213
    800W 1GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-800TM4826
    1000W 1GHz 48,0 26.0 40,0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO FIG5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0,8 GHz 50,0 78,0 40,0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO FIG5   RFT50-1500TM5078

    Iwwersiicht

    De Flansch ass meeschtens aus verkoffertem Néckel- oder Sëlwerveraarbechtung gemaach. De Widderstandssubstrat ass meeschtens aus Berylliumoxid, Aluminiumnitrid an Aluminiumoxiddrock gemaach, jee no Leeschtungsbedürfnisser an Hëtztoflafbedingungen.

    D'Flanschterminatioun, wéi d'Leaded-Terminatioun, gëtt haaptsächlech benotzt fir Signalwellen ze absorbéieren, déi un d'Enn vum Circuit iwwerdroe ginn, ze verhënneren datt d'Signalereflexioun de Circuit beaflosst, an d'Transmissiounsqualitéit vum Circuitsystem ze garantéieren.

    D'Flanged Termination huet d'Charakteristik vun enger einfacher Installatioun am Verglach mat Patchwiderstänn wéinst sengem Flansch an de Montagelächer um Flansch.


  • Virdrun:
  • Weider: