| Kraaft (W) | Dimensioun (Eenheet: mm) | Substratmaterial | Konfiguratioun | Datenblat (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0,5 | N/A | 0,4 | BeO | Figur B | RFTXX-02CR1022B |
| 5.0 | 2,5 | 1,25 | N/A | 1.0 | AlN | Figur B | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,4 | AlN | FigurC | RFTXXN-02CR1530C | |
| 6.5 | 3.0 | 1,00 | N/A | 0,6 | Al2O3 | Figur B | RFTXXA-02CR3065B | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0,4 | 0,6 | 0,4 | BeO | FigurC | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 | 1.5 | 0,3 | 1.5 | 0,38 | AlN | FigurC | RFTXXN-05CR1530C | |
| 5.0 | 2,5 | 1,25 | N/A | 1.0 | BeO | Figur B | RFTXX-05CR2550B | |
| 5.0 | 2,5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | BeO | FigurC | RFTXX-05CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1.3 | N/A | 1.0 | BeO | FigurW | RFTXX-05CR2550W | |
| 6.5 | 6.5 | 1.0 | N/A | 0,6 | Al2O3 | Figur B | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/A | 1.0 | AlN | Figur B | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/A | 1.0 | BeO | Figur B | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2,5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FigurC | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FigurC | RFTXX-10CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1,25 | N/A | 1.0 | BeO | FigurW | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/A | 1.0 | AlN | Figur B | RFTXXN-20CR2550TA |
| 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/A | 1.0 | BeO | Figur B | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2,5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FigurC | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FigurC | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1,25 | N/A | 1.0 | BeO | FigurW | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2,5 | 2.12 | N/A | 1.0 | BeO | Figur B | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2,5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | AlN | FigurC | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2,5 | 1,25 | N/A | 1.0 | BeO | FigurW | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6,35 | 6,35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | BeO | FigurC | RFTXX-30CR6363C | |
E Chipwidderstand, och bekannt als Surface Mount Widerstand, ass e wäit verbreeten Widerstand an elektroneschen Apparater a Leiterplatten. Seng Haaptfunktioun ass, datt en direkt op der Leiterplatte iwwer Surface Mount Technologie (SMD) installéiert ka ginn, ouni datt d'Pins perforéiert oder geléit musse ginn.
Am Verglach mat traditionelle Widerstänn hunn d'Chipwidderstänn, déi vun eiser Firma produzéiert ginn, d'Charakteristike vun enger méi klenger Gréisst a méi héijer Leeschtung, wouduerch den Design vun de Leiterplatten méi kompakt ass.
Automatiséiert Ausrüstung kann fir d'Montage benotzt ginn, a Chipwidderstänn hunn eng méi héich Produktiounseffizienz a kënnen a grousse Quantitéiten produzéiert ginn, wouduerch se fir eng grouss Produktioun gëeegent sinn.
De Fabrikatiounsprozess huet eng héich Widderhuelbarkeet, wat d'Konsistenz vun de Spezifikatioune a eng gutt Qualitéitskontroll garantéiere kann.
Chipwidderstänn hunn eng méi niddreg Induktivitéit a Kapazitéit, wat se exzellent an der Héichfrequenzsignaliwwerdroung an HF-Uwendungen mécht.
D'Schweessverbindung vu Chipwiderstänn ass méi sécher a manner ufälleg fir mechanesch Belaaschtung, sou datt hir Zouverlässegkeet normalerweis méi héich ass wéi déi vu Steckwiderstänn.
Vill benotzt a verschiddenen elektroneschen Apparater a Leiterplatten, dorënner Kommunikatiounsapparater, Computerhardware, Konsumentelektronik, Autoelektronik, etc.
Bei der Auswiel vu Chipwiderstänn ass et néideg Spezifikatioune wéi Widderstandswäert, Leeschtungsoflafkapazitéit, Toleranz, Temperaturkoeffizient a Verpackungstyp no den Uwendungsufuerderungen ze berücksichtegen.