| RFTYT Mikrostrip-Attenuator | |||||||
| Kraaft | Frequenzberäich GHz | Substratdimensioun (mm) | Material | Dämpfungswäert (dB) | Datenblat (PDF) | ||
| W | L | H | |||||
| 2W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | Al2O3 | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXXA-02MA5263-12.4 |
| DC-18.0 | 4.4 | 3.0 | 0,38 | Al2O3 | 01-10 | RFTXXA-02MA4430-18 | |
| 4.4 | 6,35 | 0,38 | Al2O3 | 15, 20, 25, 30 | RFTXXA-02MA4463-18 | ||
| 5W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-05MA5263-12.4 |
| DC-18.0 | 4.5 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-05MA4563-18 | |
| 10W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-10MA5263-12.4 |
| DC-18.0 | 5.4 | 10.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 17, 20, 25, 27, 30 | RFTXX-10MA5410-18 | |
| 20W | DC-10.0 | 9.0 | 19.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30, 36,5, 40, 50 | RFTXX-20MA0919-10 |
| DC-18.0 | 5.4 | 22.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 50, 60 | RFTXX-20MA5422-18 | |
| 30W | DC-10.0 | 11.0 | 32,0 | 0,7 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-30MA1132-10 |
| 50W | DC-4.0 | 25.4 | 25.4 | 3.2 | BeO | 03, 06, 10, 15, 20, 30 | RFTXX-50MA2525-4 |
| DC-6.0 | 12.0 | 40,0 | 1.0 | BeO | 01-30, 40, 50, 60 | RFTXX-50MA1240-6 | |
| DC-8.0 | 12.0 | 40,0 | 1.0 | BeO | 01-30,40 | RFTXX-50MA1240-8 | |
E Mikrostrip-Attenuator ass eng Zort Dämpfungschip. De sougenannte "Spin-on" ass eng Installatiounsstruktur. Fir dës Zort Dämpfungschip ze benotzen, ass eng kreesfërmeg oder véiereckeg Loftofdeckung noutwendeg, déi sech op béide Säite vum Substrat befënnt.
Déi zwou Sëlwerschichten op béide Säite vum Substrat an der Längterichtung musse geerdet ginn.
Wärend dem Gebrauch kann eis Firma de Clienten Loftofdeckunge vu verschiddene Gréissten a Frequenzen gratis ubidden.
D'Benotzer kënnen d'Hülsen no der Gréisst vun der Loftofdeckung veraarbechten, an d'Äerdnungsrill vun der Hülse soll méi breet sinn wéi d'Dicke vum Substrat.
Dann gëtt eng leitfäeg elastesch Kant ëm déi zwou Äerdungskanten vum Substrat gewéckelt an an d'Hülse agefouert.
Déi äusserlech Peripherie vun der Hülse ass mat engem Hëtzesénkel ugepasst, deen der Leeschtung entsprécht.
D'Stecker op béide Säite sinn mat Gewënn un d'Höhl verbonnen, an d'Verbindung tëscht dem Stecker an der rotéierender Mikrostrip-Dämpfungsplack gëtt mat engem elastesche Stift gemaach, deen a elasteschem Kontakt mam Säitenende vun der Dämpfungsplack ass.
De rotéierende Mikrostrip-Dämpfer ass dat Produkt mat den héchste Frequenzcharakteristiken ënner all de Chips, an ass déi primär Wiel fir d'Hierstellung vun Héichfrequenz-Dämpfer.
De Funktionsprinzip vun engem Mikrostrip-Attenuator baséiert haaptsächlech op dem physikalesche Mechanismus vun der Signaldämpfung. Hie dämpft Mikrowellensignaler während der Iwwerdroung am Chip andeems en déi entspriechend Materialien auswielt an d'Strukturen designt. Am Allgemengen benotzen Dämpfungschips Methoden wéi Absorptioun, Streuung oder Reflexioun fir d'Dämpfung z'erreechen. Dës Mechanismen kënnen d'Dämpfung an d'Frequenzantwort kontrolléieren andeems d'Parameter vum Chipmaterial a vun der Struktur ugepasst ginn.
D'Struktur vu Mikrostrip-Attenuatoren besteet normalerweis aus Mikrowellen-Transmissiounsleitungen an Impedanzanpassungsnetzwierker. Mikrowellen-Transmissiounsleitunge si Kanäl fir d'Signaliwwerdroung, a Faktoren wéi Transmissiounsverloscht a Réckgabverloscht sollten am Design berécksiichtegt ginn. Den Impedanzanpassungsnetz gëtt benotzt fir eng komplett Dämpfung vum Signal ze garantéieren, wat eng méi genee Dämpfung erméiglecht.
D'Dämpfungsquantitéit vum Mikrostrip-Dämpfer, deen mir ubidden, ass fix a konstant, an en huet Stabilitéit a Zouverlässegkeet, déi a Situatiounen agesat kënne ginn, wou eng heefeg Upassung net néideg ass. Fest Dämpfer gi wäit verbreet a Systemer wéi Radar, Satellittekommunikatioun a Mikrowellenmiessung benotzt.