RFTYT Microstrip Attenuator | |||||||
Muecht | Frequenz.Range (GHz) | Substrat Dimensioun (mm) | Material | Attenuatioun Wäert (dB) | Dateblatt (PDF) | ||
W | L | H | |||||
2W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | Al2O3 | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXXA-02MA5263-12.4 Fotoen |
DC-18.0 | 4.4 | 3.0 | 0,38 | Al2O3 | 01-10 | RFTXXA-02MA4430-18 Fotoen | |
4.4 | 6,35 | 0,38 | Al2O3 | 15, 20, 25, 30 | RFTXXA-02MA4463-18 Fotoen | ||
5W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-05MA5263-12.4 Fotoen |
DC-18.0 | 4.5 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-05MA4563-18 Fotoen | |
10 W | DC-12.4 | 5.2 | 6,35 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-10MA5263-12.4 Fotoen |
DC-18.0 | 5.4 | 10.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 17, 20, 25, 27, 30 | RFTXX-10MA5410-18 Fotoen | |
20 W | DC-10.0 | 9,0 | 19.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30, 36,5, 40, 50 | RFTXX-20MA0919-10 Fotoen |
DC-18.0 | 5.4 | 22.0 | 0,5 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 50, 60 | RFTXX-20MA5422-18 Fotoen | |
30 watt | DC-10.0 | 11.0 | 32,0 | 0.7 | BeO | 01-10, 15, 20, 25, 30 | RFTXX-30MA1132-10 Fotoen |
50 watt | DC-4.0 | 25.4 | 25.4 | 3.2 | BeO | 03, 06, 10, 15, 20, 30 | RFTXX-50MA2525-4 Fotoen |
DC-6.0 | 12.0 | 40,0 | 1.0 | BeO | 01-30, 40, 50, 60 | RFTXX-50MA1240-6 Fotoen | |
DC-8.0 | 12.0 | 40,0 | 1.0 | BeO | 01-30, 40 | RFTXX-50MA1240-8 Fotoen |
Microstrip Attenuator ass eng Zort Dämpfungschip.De sougenannte "Spin on" ass eng Installatiounsstruktur.Fir dës Zort Dämpfungschip ze benotzen, ass eng kreesfërmeg oder quadratesch Loftdeckel néideg, déi op béide Säiten vum Substrat läit.
Déi zwou Sëlwerschichten op béide Säiten vum Substrat an der Längtrichtung musse gegrënnt ginn.
Wärend der Benotzung kann eis Firma Clienten gratis Loftdecken vu verschiddene Gréissten a Frequenzen ubidden.
D'Benotzer kënnen Ärmelen no der Gréisst vum Loftdeckel veraarbechten, an d'Buedungsgroove vun der Hülse sollt méi breed sinn wéi d'Dicke vum Substrat.
Dann gëtt e konduktiv elastesche Rand ëm déi zwee Buedemkante vum Substrat gewéckelt an an d'Hülse agebaut.
Déi baussenzeg Peripherie vun der Hülse gëtt mat engem Heizkierper ugepasst, deen d'Kraaft entsprécht.
D'Stecker op béide Säiten sinn an d'Kavitéit mat Fuedem verbonnen, an d'Verbindung tëscht dem Stecker an der rotéierender Mikrostrip Dämpfungsplack gëtt mat engem elastesche Pin gemaach, deen am elastesche Kontakt mat der Säitend vun der Dämpfungsplack ass.
Rotary Microstrip Attenuator ass d'Produkt mat den héchste Frequenzeigenschaften ënner all Chips, an ass déi primär Wiel fir Héichfrequenzattenuatoren ze maachen.
D'Aarbechtsprinzip vum Microstrip Attenuator baséiert haaptsächlech op de kierperleche Mechanismus vun der Signalattenuatioun.Et attenuéiert Mikrowellensignaler wärend der Iwwerdroung am Chip andeems se entspriechend Materialien auswielen an Strukturen designen.Allgemeng benotzen Dämpfungschips Methoden wéi Absorptioun, Streuung oder Reflexioun fir Dämpfung z'erreechen.Dës Mechanismen kënnen d'Dämpfung an d'Frequenzreaktioun kontrolléieren andeems d'Parameter vum Chipmaterial a Struktur ugepasst ginn.
D'Struktur vun microstrip attenuators besteet normalerweis aus Mikrowellen Transmissioun Linnen an impedance passende Netzwierker.Mikrowelleniwwerdroungslinne si Kanäl fir Signaliwwerdroung, a Faktore wéi Iwwerdroungsverloscht a Retourverloscht sollten am Design berücksichtegt ginn.D'Impedanz passend Netzwierk gëtt benotzt fir komplett Dämpfung vum Signal ze garantéieren, e méi genaue Betrag vun Dämpfung ze bidden.
D'Dämpfungsbetrag vum Microstrip Attenuator, dee mir ubidden, ass fix a konstant, an et huet Stabilitéit an Zouverlässegkeet, déi an Situatiounen benotzt kënne ginn, wou heefeg Upassung net néideg ass.Fixed Attenuatoren gi wäit a Systemer wéi Radar, Satellitekommunikatioun a Mikrowellmiessung benotzt.