Bewäert Muecht: 10-400W;
Substratmaterial: BeO, AlN
Nominell Resistenzwäert: 100 Ω (10-3000 Ω fakultativ)
Resistenz Toleranz: ± 5%, ± 2%, ± 1%
Temperatur Koeffizient: < 150ppm/℃
Aarbechtstemperatur: -55 ~ +150 ℃
ROHS Standard: Konform mat
Uwendbar Norm: Q / RFTYTR001-2022
Leadlängt: L wéi am Spezifizéierungsblat spezifizéiert (kann no Client Ufuerderunge personaliséiert ginn)
Muecht W | Kapazitéit PF﹫100Ω | Dimensioun (Eenheet: mm) | Substrat Material | Configuratioun | Dateblatt (PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | |||||
5 | / | 2.2 | 1.0 | 0.4 | 0.8 | 0.7 | 1.5 | BeO | A | RFTXX-05RJ1022 Fotoen |
10 | 2.4 | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 3.0 | AlN | A | RFTXXN-10RM2550 Ubidder |
1.8 | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 3.0 | BeO | A | RFTXX-10RM2550 Ubidder | |
/ | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 4.0 | BeO | B | RFTXX-10RM5025C Fotoen | |
2.3 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 4.0 | AlN | A | RFTXXN-10RM0404 Ubidder | |
1.2 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 4.0 | BeO | A | RFTXX-10RM0404 Ubidder | |
20 | 2.4 | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 3.0 | AlN | A | RFTXXN-20RM2550 Ubidder |
1.8 | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 3.0 | BeO | A | RFTXX-20RM2550 Ubidder | |
/ | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | 4.0 | BeO | B | RFTXX-20RM5025C Fotoen | |
2.3 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 4.0 | AlN | A | RFTXXN-20RM0404 Ubidder | |
1.2 | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 4.0 | BeO | A | RFTXX-20RM0404 Ubidder | |
30 | 2.9 | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-30RM0606 Ubidder |
2.6 | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-30RM0606 Ubidder | |
1.2 | 6.0 | 6.0 | 3.5 | 4.3 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-30RM0606F Fotoen | |
60 | 2.9 | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-60RM0606 Ubidder |
2.6 | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-60RM0606 Ubidder | |
1.2 | 6.0 | 6.0 | 3.5 | 4.3 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-60RM0606F Fotoen | |
/ | 6,35 | 6,35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-60RJ6363 Fotoen | |
/ | 6,35 | 6,35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-60RM6363 Ubidder | |
100 | 2.6 | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-60RM0606 Ubidder |
2.5 | 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.5 | 1.0 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-100RJ8957 Fotoen | |
2.1 | 8.9 | 5.7 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-100RJ8957B Fotoen | |
3.2 | 9,0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-100RM0906 Fotoen | |
5.6 | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 2.5 | 5.0 | BeO | A | RFTXX-100RM1010 Fotoen | |
Muecht W | Kapazitéit PF﹫100Ω | Dimensioun (Eenheet: mm) | Substrat Material | Configuratioun | Dateblatt (PDF) | |||||
A | B | H | G | W | L | |||||
150 | 3.9 | 9.5 | 6.4 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-150RM6395 Ubidder |
5.6 | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-150RM1010 Fotoen | |
200 | 5.6 | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-200RM1010 Fotoen |
4.0 | 10.0 | 10.0 | 1.5 | 2.3 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-200RM1010B Fotoen | |
250 | 5.0 | 12.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-250RM1210 Ubidder |
/ | 8.0 | 7.0 | 1.5 | 2.0 | 1.4 | 5.0 | AlN | A | RFTXXN-250RJ0708 Ubidder | |
2.0 | 12.7 | 12.7 | 6.0 | 6.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-250RM1313K Fotoen | |
300 | 5.0 | 12.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-300RM1210 Ubidder |
2.0 | 12.7 | 12.7 | 6.0 | 6.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-300RM1313K Fotoen | |
400 | 8.5 | 12.7 | 12.7 | 1.5 | 2.3 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-400RM1313 Ubidder |
2.0 | 12.7 | 12.7 | 6.0 | 6.8 | 2.5 | 6.0 | BeO | A | RFTXX-400RM1313K Fotoen |
Dës Zort vun resistor kommen net mat zousätzlech flanges oder Hëtzt dissipation Fins, mee ass direkt op der Circuit Verwaltungsrot installéiert duerch Schweess, SMD oder gedréckt Circuit Verwaltungsrot Uewerfläch Mount (SMD) Methoden.Wéinst der Verontreiung vu Flanges ass d'Gréisst normalerweis kleng, sou datt et einfach ass op kompakt Circuitboards z'installéieren, wat en héije Integratiounsschaltungsdesign erméiglecht.
Wéinst der Struktur ouni Flange Wärmevergëftung ass dëse Widderstand nëmme gëeegent fir niddereg-Muecht Uwendungen an ass net gëeegent fir héich-Muecht an Hëtzt dissipation Kreesleef.
Eis Firma kann och Widderstänn no de spezifesche Ufuerderunge vun de Clienten personaliséieren.
De Bläiwidderstand ass ee vun de allgemeng benotzte passive Komponenten an elektronesche Circuiten, deen d'Funktioun vu Balancekreesser huet.
Et passt de Resistenzwäert am Circuit fir e equilibréierte Stroum- oder Spannungszoustand z'erreechen, an doduerch eng stabil Operatioun vum Circuit z'erreechen.
Et spillt eng wichteg Roll an elektroneschen Apparater a Kommunikatiounssystemer.
An engem Circuit, wann de Resistenzwäert onbalancéiert ass, gëtt de Stroum oder d'Spannung ongläich verdeelt, wat zu der Onstabilitéit vum Circuit féiert.
De Leadresistor kann d'Verdeelung vum Stroum oder Spannung ausbalancéieren andeems d'Resistenz am Circuit ugepasst gëtt.
De Flangebalancéierungsresistor passt de Resistenzwäert am Circuit un fir de Stroum oder d'Spannung iwwer verschidde Branchen gläichméisseg ze verdeelen, an doduerch eng equilibréiert Operatioun vum Circuit z'erreechen.
De Leadresistor ka wäit a equilibréiert Verstärker, equilibréiert Brécke a Kommunikatiounssystemer benotzt ginn
De Resistenzwäert vun der Leed soll ausgewielt ginn baséiert op spezifesche Circuit Ufuerderunge a Signal Charakteristiken.
Am Allgemengen, soll de Resistenz Wäert mat der charakteristesche Resistenz Wäert vum Circuit Match d'Gläichgewiicht a stabil Operatioun vun Circuit ze garantéieren.
D'Kraaft vum Leadresistor soll no den Kraaftfuerderunge vum Circuit ausgewielt ginn.Allgemeng soll d'Kraaft vum Widderstand méi grouss sinn wéi déi maximal Kraaft vum Circuit fir seng normal Operatioun ze garantéieren.
De Leadresistor gëtt zesummegesat andeems de Flange an de duebele Leadresistor verschweißt gëtt.
De Flange ass fir d'Installatioun an de Circuiten entworf a kann och besser Wärmevergëftung fir Widderstande beim Gebrauch ubidden.
Eis Firma kann och Flanges a Widderstänn no spezifesche Client Ufuerderunge personaliséieren.